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太陽(yáng)能電池大多由單晶硅或多晶硅制成,將晶硅錠加工成太陽(yáng)能電池需要一系列制造工藝,包括晶圓切割、制絨、酸洗、擴(kuò)散、刻蝕、減反膜沉積、激光開槽、接觸印刷等。下圖為工藝流程中的測(cè)量節(jié)點(diǎn)。太陽(yáng)能電池工藝流程中...
在半導(dǎo)體芯片等器件工藝中,后道制程中的金屬連接是經(jīng)過(guò)金屬薄膜沉積,圖形化和蝕刻工藝,最后在器件元件之間得到導(dǎo)電連接。對(duì)于半導(dǎo)體、PCB、平板顯示器、太陽(yáng)能應(yīng)用和研發(fā)等不同行業(yè),對(duì)各種金屬層(包括導(dǎo)電薄...
電池的應(yīng)用極為廣泛,其通常以電化學(xué)反應(yīng)池的形式為各類裝置供電。電池內(nèi)在失效和劣化對(duì)電池性能有重大影響,而其機(jī)制依賴于不同組成材料之間的電化學(xué)反應(yīng)和納米力學(xué)相互作用。下一代電池要求高能量密度和高充放電倍...
隨著器件尺寸不斷縮小,表面翹曲度可能引發(fā)一些問(wèn)題從而影響器件的正常功能。在半導(dǎo)體中,薄膜應(yīng)力對(duì)半導(dǎo)體能帶隙偏移、超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度和磁各向異性等電子特性有直接影響。在器件制造過(guò)程中,監(jiān)控因薄膜沉積而產(chǎn)生的應(yīng)...
圖像轉(zhuǎn)移,也稱為光刻技術(shù)(或簡(jiǎn)稱光刻),在PCB的電路圖形方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。它能實(shí)現(xiàn)復(fù)雜和精確的連接,以支持在更小的區(qū)域?qū)崿F(xiàn)更多連接。隨著對(duì)更高密度的電路板和更小線寬間距的需求不斷增加,線路必須以高精...
鈣鈦礦材料因其優(yōu)異的光電特性,近年來(lái)一直受到高度關(guān)注。相應(yīng)的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池在柔性太陽(yáng)能電池領(lǐng)域和疊層太陽(yáng)能電池領(lǐng)域也有廣泛應(yīng)用前景。早在2009年,鉛基鈣鈦礦材料第一次被應(yīng)用到太陽(yáng)能電池中,其光電轉(zhuǎn)...
在全球各國(guó)努力減少碳足跡與追尋可持續(xù)能源的大背景下,太陽(yáng)能行業(yè)經(jīng)歷了顯著增長(zhǎng)。在基于晶體硅(c-Si)的多種工藝路線中,隧穿鈍化接觸太陽(yáng)能電池(TOPCon)因其高光伏轉(zhuǎn)換效率(PCE)和高性價(jià)比而脫...
可用在以下領(lǐng)域:農(nóng)業(yè)育種:(有相關(guān)的參考文獻(xiàn))隨著低溫等離子技術(shù)的不斷成熟,近些年等離子體種子處理技術(shù)已開始應(yīng)用于農(nóng)業(yè)育種等方面,這在國(guó)內(nèi)外尚屬新的研究領(lǐng)域。該技術(shù)是通過(guò)利用等離子體沖刷種子表面,來(lái)增...
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