 |
上海申思特自動(dòng)化設(shè)備有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品： 美國(guó)E E傳感器,美國(guó)E E減壓閥,意大利ATOS阿托斯油缸,丹麥GRAS麥克風(fēng),丹麥GRAS人工頭, ASCO電磁閥,IFM易福門傳感器 |
會(huì)員.png)
10
聯(lián)系電話
|
上海申思特自動(dòng)化設(shè)備有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品： 美國(guó)E E傳感器,美國(guó)E E減壓閥,意大利ATOS阿托斯油缸,丹麥GRAS麥克風(fēng),丹麥GRAS人工頭, ASCO電磁閥,IFM易福門傳感器 |
聯(lián)系電話
2016-12-16 閱讀(511)
基于MEMS技術(shù)制作E+E壓力傳感器研究
E+E壓力傳感器被廣泛應(yīng)用于醫(yī)療、工業(yè)過程監(jiān)控、生物和航空等各個(gè)領(lǐng)域。據(jù)相關(guān)文獻(xiàn)介紹,E+E壓力傳感器種類繁多,其中多數(shù)都是采用硅材料制作的。擴(kuò)散硅式E+E壓力傳感器具有靈敏度高且可以小型化、集成化等許多優(yōu)點(diǎn),近些年有長(zhǎng)足的發(fā)展。
基于MEMS技術(shù)制作E+E壓力傳感器研究 基于MEMS技術(shù)制作的MOSFETsE+E壓力傳感器是在硅杯的方形硅膜上采用微機(jī)械加工工藝制作四個(gè)P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(P-MOSFET),使硅膜上的四個(gè)P-MOSFETs組成惠斯通電橋。利用半導(dǎo)體壓阻效應(yīng),令兩個(gè)P-MOSFETs置于硅敏感膜的徑向位置,而另外兩個(gè)P-MOSFETs置于硅敏感膜的橫向位置。傳感器受電源激勵(lì)時(shí),對(duì)硅敏感膜施加壓力,電橋中兩個(gè)徑向的P-MOSFETs溝道等效電阻阻值增大,兩個(gè)橫向P-MOSFETs溝道等效電阻阻值減小。因此使橋路失去平衡,產(chǎn)生端電壓輸出,從而實(shí)現(xiàn)了將力學(xué)量信號(hào)轉(zhuǎn)化為與之有對(duì)應(yīng)關(guān)系的電壓信號(hào)。在綜述了國(guó)內(nèi)外E+E壓力傳感器研究概況的基礎(chǔ)上,闡述了MOSFETsE+E壓力傳感器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工作原理、制造工藝和該新結(jié)構(gòu)傳感器的計(jì)算機(jī)仿真,對(duì)實(shí)驗(yàn)研制的MOSFETsE+E壓力傳感器I-V特性、壓敏特性、溫度特性進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)測(cè)試和靜態(tài)特性分析。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,研制的MOSFETsE+E壓力傳感器靈敏度為8.9mV/100KPa,線性度為±1.651%F·S,遲滯為±0.529%F·S,重復(fù)性為±1.550%F·S,精度是2.326%F·S,零點(diǎn)輸出的溫度系數(shù)為1.32%/℃,靈敏度的溫度系數(shù)為-0.33%/℃,符合設(shè)計(jì)要求。e+e設(shè)計(jì)的MOSFETsE+E壓力傳感器信號(hào)容易采集,測(cè)試系統(tǒng)簡(jiǎn)單;很好地克服了MOSFET電容式E+E壓力傳感器的測(cè)試電路復(fù)雜且微小電容信號(hào)難以測(cè)量的缺點(diǎn)。同時(shí),MOSFETsE+E壓力傳感器采用P-MOSFET溝道等效電阻做壓敏電阻,代替了以往的擴(kuò)散硅壓敏電阻;不但增強(qiáng)了傳感器的穩(wěn)定性,降低了傳感器的噪聲,而且測(cè)量信號(hào)穩(wěn)定,溫度特性較好?；贛EMS技術(shù)制作的MOSFETsE+E壓力傳感器的制作工藝與集成電路工藝相兼容,有廣泛的應(yīng)用前景。
