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更新時(shí)間：2025-02-12 17:10:26瀏覽次數(shù)：2119次

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SUNX日本進(jìn)口CMOS型微型激光位移傳感器說(shuō)明書(shū)

?輸出阻抗：100Ω
實(shí)現(xiàn)1/100ｍｍ的高精度檢測(cè)
? 剩余電壓：1.5V以下(流出電流50mA時(shí))
800μm(測(cè)量距離400～600mm)
? 漏電流：0.1mA以下
<PNP輸出型>
采用位移傳感器所使用的高精度CMOS影像傳感器，以及位移傳感器直使用的*的算法，
±0.3%F.S.(測(cè)量距離400～600mm)
溫度特性 0.03% F.S./℃
重復(fù)精度 200μm
300μm(測(cè)量距離200～400mm)
設(shè)計(jì)出內(nèi)部安裝有鏡面的新型光學(xué)系統(tǒng)
般通過(guò)延長(zhǎng)受光部分與受光元件(CMOS)之間的光路長(zhǎng)度，
<NPN輸出型>
同時(shí)又可實(shí)現(xiàn)與變位傳感器相媲美的高精度測(cè)量。
紅色半導(dǎo)體激光 2[JIS/IEC/GB/FDA]
? 溫度特性：0.03％F.S./℃
不僅能以mm為單位顯示數(shù)值，還能讀取模擬輸出數(shù)值。
PNP開(kāi)路集電晶體管
? zui大流入電流：50mA
? 外加電壓：30V DC以下(控制輸出-+V之間)
但是另方面，傳感器的進(jìn)深方向會(huì)變長(zhǎng)，機(jī)身形狀也會(huì)變大。
從而可獲得精度更高、更穩(wěn)定的測(cè)量值，
? 剩余電壓：1.5V以下(流入電流50mA時(shí))
形狀達(dá)到業(yè)內(nèi)小型※的CMOS激光傳感器

SUNX日本進(jìn)口CMOS型微型激光位移傳感器說(shuō)明書(shū)
? 漏電流：0.1mA以下
輸出動(dòng)作入光時(shí)ON/非入光時(shí)ON　可切換
短路保護(hù) 配備(自動(dòng)恢復(fù))
模擬電壓輸出
?輸出范圍：0～5V(報(bào)警時(shí)：+5.2V)
用測(cè)距傳感器規(guī)定測(cè)定值
? 直線性：±0.1％F.S.※1
讀入到PLC＋模擬量單元，還能執(zhí)行各種運(yùn)算，并存儲(chǔ)(記錄)測(cè)量值。
直線性 ±0.2%F.S.
±0.2%F.S.(測(cè)量距離200～400mm)
NPN開(kāi)路集電晶體管
? zui大流入電流：50mA
?外加電壓：30V DC以下(控制輸出-0V之間)
模擬電流輸出
?輸出范圍：4～20mA(報(bào)警時(shí)：0mA)
?輸出阻抗：300Ω
反應(yīng)時(shí)間 1.5ms／5ms／10ms　可切換
采用高精度CMOS傳感器&*的算法
zui大輸出：1mW、投光波峰波長(zhǎng)：655nm
電源電壓 12～24V DC±10%　脈動(dòng)P-P10%以下
消耗電流(注4)
40mA以下(電源電壓24V DC時(shí))、65mA以下(電源電壓12V DC時(shí))
使距離設(shè)定反射型傳感器實(shí)現(xiàn)*的高精度（1/100mm）。
測(cè)量距離 200mm
HG-C系列設(shè)計(jì)出內(nèi)部安裝有反射鏡的新型光學(xué)系統(tǒng)，并縮短進(jìn)深方向的尺寸，
測(cè)量范圍 ±80mm