硅酸鎵鑭 (La3Ga5SiO14,LGS)晶體是一種性能優(yōu)良的多功能晶體，具有很高損傷閾值的光學(xué)非線性材料。電光系數(shù)高，電光性能優(yōu)良，屬于三方晶系結(jié)構(gòu)，熱膨脹系數(shù)較小，晶體的熱膨脹各向異性較弱，高溫的溫度穩(wěn)定性好(優(yōu)于石英晶體)，具有的兩個(gè)獨(dú)立電光系數(shù)與BBO晶體的系數(shù)相當(dāng)，電光系數(shù)值在很大的溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定，該晶體機(jī)械性能好、無解離性、不潮解、物理化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，具有非常好的綜合性能。
LGS晶體具有寬的透過波段，從紫外242nm-3550nm都具有很高的透過率。LGS 晶體采用提拉法生長，熔點(diǎn)是1470 ℃ ，在生長溫度至室溫沒有相變點(diǎn)，生長周期短，可以生長出較大尺寸晶體，有旋光性，但比石英小。
可應(yīng)用于電光調(diào)制、電光調(diào)Q。LGS電光開關(guān)可用于高重復(fù)頻率，高輸出能量，應(yīng)用范圍廣。

硅酸鎵鑭 (La3Ga5SiO14,LGS)晶體：

晶體尺寸2 x 2 - 8 x 8 mm

外殼尺寸Dia.30-65 mm

消光比＞350

整體透過率＞98% @ 1064nm

電極間隔離性＜1

光潔度20/10(膜后40/20)

電容9 pF

鍍膜AR/AR @ 1064nm (＜0.2%)

抗光傷600MW/cm2 10ns 10Hz 1064nm