單晶和多晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)試設(shè)備

MDPmap單晶和多晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)試設(shè)備設(shè)計(jì)用于離線生產(chǎn)控制或研發(fā)、測(cè)量少子壽命、光電導(dǎo)率、電阻率和缺陷信息等參數(shù)的小型臺(tái)式無觸點(diǎn)電特性測(cè)量?jī)x器，在穩(wěn)態(tài)或短脈沖激勵(lì)下(μ-PCD)下工作。

MDPmap單晶和多晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)試設(shè)備介紹：

MDPmap設(shè)計(jì)用于離線生產(chǎn)控制或研發(fā)、測(cè)量少子壽命、光電導(dǎo)率、電阻率和缺陷信息等參數(shù)的小型臺(tái)式無觸點(diǎn)電特性測(cè)量?jī)x器，在穩(wěn)態(tài)或短脈沖激勵(lì)下(μ-PCD)下工作。自動(dòng)的樣品識(shí)別和參數(shù)設(shè)置允許在從原始生長晶片到高達(dá)95%金屬化晶片的各種工藝階段之后，容易地應(yīng)用于包括外延層的各種不同樣品。

MDPmap的主要優(yōu)點(diǎn)是靈活性高。例如，它允許集成多達(dá)四個(gè)激光器，用于從超低注入到高注入的與注入水平相關(guān)的壽命測(cè)量，或者通過使用不同的激光波長提取深度信息。包括偏光設(shè)施，以及μ-PCD或穩(wěn)態(tài)注入條件的選擇?？梢允褂貌煌臏y(cè)量圖形進(jìn)行客戶定義的計(jì)算，以及導(dǎo)出用于進(jìn)一步評(píng)估的主要數(shù)據(jù)。對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量，預(yù)定義的標(biāo)準(zhǔn)僅通過按一個(gè)按鈕即可實(shí)現(xiàn)常規(guī)測(cè)量。

MDPmap單晶和多晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)試設(shè)備產(chǎn)品性能：

先進(jìn)材料的研究和開發(fā)

靈敏度: 對(duì)外延層監(jiān)控和不可見缺陷檢測(cè)，

具有可視化測(cè)試的高分辨率

測(cè)試速度: < 5 minutes，6英寸硅片, 1mm分辨率

壽命測(cè)試范圍: 20ns到幾ms

玷污測(cè)試: 產(chǎn)生于坩堝和生產(chǎn)設(shè)備中的金屬沾污（Fe）

測(cè)試能力: 從切割的晶元片到所有工藝中的樣品

靈活性: 允許外部激發(fā)光與測(cè)試模塊進(jìn)行耦合

可靠性: 模塊化緊湊型臺(tái)式檢測(cè)設(shè)備，使用時(shí)間> 99