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能譜儀的分析原理及特點(diǎn)介紹

閱讀:5615        發(fā)布時(shí)間:2022-7-5
    能譜儀(Energy Dispersive Spectroscopy)簡(jiǎn)稱能譜,用于樣品微區(qū)元素的成分和含量分析,常與掃描電鏡(SEM)或者透射電鏡(TEM)搭配使用。
 
能譜分析的基本原理
 
    從電子槍中發(fā)射出高能電子束撞擊樣品表面,與原子的內(nèi)層電子發(fā)生非彈性散射作用時(shí),使原子發(fā)生電離,從而使原子失去一個(gè)內(nèi)層電子而變成離子,并在該電子層對(duì)應(yīng)位置產(chǎn)生一個(gè)空穴,原子為了恢復(fù)到穩(wěn)定態(tài),較外層的電子就會(huì)填補(bǔ)到這個(gè)空穴,在填補(bǔ)過程中同時(shí)會(huì)產(chǎn)生具有特征能量的 X 射線,探測(cè)器接收到這些特征 X 射線后,經(jīng)過分析處理轉(zhuǎn)換最終得到譜圖和分析數(shù)據(jù)輸出。
    當(dāng)高能入射電子將原子的 K 層電子撞擊出來時(shí)同時(shí)會(huì)形成一個(gè)空穴,原子為了恢復(fù)到穩(wěn)定態(tài),較外層的電子便會(huì)填充到 K 層的空穴中。如果是 L 層的電子填充 K 層的空穴,在此過程中會(huì)發(fā)射出 Kα 的 X 射線;如果是 M 層的電子填充 K 層的空穴,在此過程中會(huì)發(fā)射出 Kβ 的 X 射線;當(dāng)入射電子將原子的 L 層電子撞擊出來后,原子為了恢復(fù)到穩(wěn)態(tài),這時(shí)位于 L 層以外的電子就會(huì)填補(bǔ)到 L 層上的空穴,若 M 層電子填補(bǔ)到 L 層,則會(huì)發(fā)射出 Lα  的 X 射線。

    布魯克QUANTAX 能譜儀結(jié)合了較好的能量分辨率和 30 毫米更大的固體角度®活動(dòng)區(qū)域芯片。這使得探測(cè)器對(duì)希望在EDS應(yīng)用的整個(gè)譜圖中使用探測(cè)器的分析中非常有吸引力,從輕元素分析到快速面掃描Mapping,以及EDS和EBSD測(cè)量的結(jié)合。X-Flash硅漂移探測(cè)器(SDD)與頂級(jí)的Hybrid 脈沖處理技術(shù)相結(jié)合能獲得較佳的能量分辨率和比常規(guī)Si(Li)探測(cè)器快十倍的測(cè)量速度。 
 
    布魯克QUANTAX 能譜儀配有界面友好、功能強(qiáng)大的ESPRIT軟件。該軟件標(biāo)配中、英文界面。應(yīng)用該軟件可進(jìn)行無標(biāo)樣定量分析,和有標(biāo)準(zhǔn)定量分析,或二種方法結(jié)合使用。另外,還可進(jìn)行點(diǎn)、線、面分析,線掃描,面分布,超級(jí)面分布,相分析,顆粒分析,鋼鐵分析,槍擊殘留物分析等等。  
 

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