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190~1100nm紫外高速型固定增益硅光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
190~1100nm紫外高速型固定增益硅光電探測(cè)器筱曉光子的硅基放大光電探測(cè)器感光范圍覆蓋190nm~1100nm，可實(shí)現(xiàn)定量光電轉(zhuǎn)換，動(dòng)態(tài)范圍寬，適用于各種光...
400-1000nm硅雪崩光電探測(cè)器（ф0.5mm）400MHz 參考價(jià)：面議
400-1000nm硅雪崩光電探測(cè)器（ф0.5mm）400MHz筱曉光子提供硅雪崩探測(cè)器，感光范圍覆蓋200nm~1000nm，常用于可見光與近紅外光測(cè)量。性價(jià)...
200-1000nm硅雪崩光電探測(cè)器（ф1.0mm）0.1MHz 參考價(jià)：面議
200-1000nm硅雪崩光電探測(cè)器（ф1.0mm）0.1MHz筱曉光子提供硅雪崩探測(cè)器，感光范圍覆蓋200nm~1000nm，常用于可見光與近紅外光測(cè)量。性價(jià)...
200-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器 感光尺寸 Φ1.0mm 參考價(jià)：面議
200-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器 感光尺寸 Φ1.0mm銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(APD)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪...
200-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器 感光尺寸 Φ150μm 參考價(jià)：面議
200-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器 感光尺寸 Φ150μm銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(APD)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪...
Si平衡探測(cè)器 1GHz 400-1100nm FC/APC 參考價(jià)：面議
Si平衡探測(cè)器 1GHz 400-1100nm FC/APCSi平衡探測(cè)模塊集成了兩個(gè)匹配的低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電源。具有高...
Si平衡探測(cè)器 100MHz 400-1100nm FC/APC 參考價(jià)：面議
Si平衡探測(cè)器 100MHz 400-1100nm FC/APCSi平衡探測(cè)模塊集成了兩個(gè)匹配的低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電源。具...
400-1100nm 硅Si光電探測(cè)器 帶放大 固定增益(DC-140MHz) 參考價(jià)：面議
400-1100nm 硅Si光電探測(cè)器 帶放大 固定增益(DC-140MHz)硅(Si) 硅基光電探測(cè)器是一種額定帶寬，固定增益的光電探測(cè)器，用于檢測(cè)光信號(hào)。光...
400-1100nm 硅Si光電探測(cè)器 帶放大 固定增益（DC-5MHz） 參考價(jià)：面議
400-1100nm 硅Si光電探測(cè)器 帶放大 固定增益（DC-5MHz）硅(Si) 硅基光電探測(cè)器是一種額定帶寬，固定增益的光電探測(cè)器，用于檢測(cè)光信號(hào)。光信號(hào)...
400-1100nm Si雪崩平衡探測(cè)器 2GHz 參考價(jià)：面議
400-1100nm Si雪崩平衡探測(cè)器 2GHzSi雪崩平衡探測(cè)模塊集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、 APD 溫度...
400-1100nm Si雪崩平衡探測(cè)器 100MHz 參考價(jià)：面議
400-1100nm Si雪崩平衡探測(cè)器 100MHzSi雪崩平衡探測(cè)模塊集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、 APD ...
Si雪崩單元探測(cè)器 2GHz 400-1100nm FC/APC 參考價(jià)：面議
Si雪崩單元探測(cè)器 2GHz 400-1100nm FC/APCSi雪崩單元探測(cè)模塊集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、...
Si雪崩單元探測(cè)器 100MHz 400-1100nm FC/APC 參考價(jià)：面議
Si雪崩單元探測(cè)器 100MHz 400-1100nm FC/APCSi雪崩單元探測(cè)模塊集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電...
190～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
190～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器我們的硅探測(cè)器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益 ，...
190～ 1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
190～ 1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器我們的硅探測(cè)器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益 ...
320～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
320～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器我們的硅探測(cè)器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益 ，...
350～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
350～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器我們的硅探測(cè)器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益 ，...
320-1000nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
320-1000nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(APD)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用...
320-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
320-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(APD)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用...
400-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
400-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(APD)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用...
320-1100nm Si硅光電探測(cè)器模塊 直徑1.2mm 參考價(jià)：面議
320-1100nm Si硅光電探測(cè)器模塊 直徑1.2mmC3A系列光電檢測(cè)模塊將光電二極管，放大電路和電源調(diào)理電路集成在一個(gè)小型化的模塊內(nèi)。不僅適用于各種實(shí)驗(yàn)...
D2250 單波長(zhǎng)探測(cè)器（Si硅光電） 參考價(jià)：面議
D2250 單波長(zhǎng)探測(cè)器（Si硅光電）中紅外探測(cè)器面臨的最大挑戰(zhàn)通常是固有噪聲較大，并且它們會(huì)收集來自周圍環(huán)境的大量輻射。我們的探測(cè)器通過使用窄高效上轉(zhuǎn)換技術(shù)與...
硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?3mm 參考價(jià)：面議
硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?3mmAPD 是具有通過施加反向電壓產(chǎn)生的內(nèi)部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信...
硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?1mm 參考價(jià)：面議
硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?1mmAPD 是具有通過施加反向電壓產(chǎn)生的內(nèi)部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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