超快光電探測(cè)器 Alphalas UPD 320-1700nm InGaAs/Si/Ge/GaAs 參考價(jià)：面議
超快光電探測(cè)器 Alphalas UPD 320-1700nm InGaAs/Si/Ge/GaAs系列自由空間入射超快光電探測(cè)器系列適合用于從直流到25GHz的...
ALPHLAS UPD超快光電探測(cè)器 (感光材料 Si, 320-1100nm) 參考價(jià)：面議
ALPHLAS UPD超快光電探測(cè)器 (感光材料 Si, 320-1100nm)ALPHLAS UPD系列自由空間入射超快光電探測(cè)器系列適合用于從直流到25GH...
Alphalas UPD超快光電探測(cè)器（320-1100nm ＜300ps上升沿時(shí)間 Si > 參考價(jià)：面議
Alphalas UPD超快光電探測(cè)器（320-1100nm ＜300ps上升沿時(shí)間 Si 1GHz 拋光玻璃)產(chǎn)品總覽Alphalas UPD系列自由空間入射...
帶 USB 的數(shù)字集成光電二極管 1 kHz , WL-IPD4A 參考價(jià)：面議
數(shù)字集成光電二極管1 kHz , WL-IPD4B通用串行總線接口為虛擬串行端口(VCP)，以便直接輕松地集成到實(shí)驗(yàn)室控制軟件(如LabView)中。通信使用基...
2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式 InAs 砷化銦 光伏探測(cè)器 PVIA系列 參考價(jià)：面議
2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式 InAs 砷化銦 光伏探測(cè)器 PVIA系列PVIA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光伏探測(cè)器,通過(guò)光...
InAs/InAsSb T2SL 光伏探測(cè)器 兩級(jí)TE冷卻 1.7-5.8um 參考價(jià)：面議
InAs/InAsSb T2SL 光伏探測(cè)器 兩級(jí)TE冷卻 1.7-5.8um 產(chǎn)品應(yīng)用● 中紅外激光探測(cè)● 中紅外氣體分析
II型超晶格三級(jí)熱電冷卻紅外光導(dǎo)探測(cè)器 參考價(jià)：面議
II型超晶格三級(jí)熱電冷卻紅外光導(dǎo)探測(cè)器PCAS-3TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70是一種具有優(yōu)良參數(shù)的II型超晶格三級(jí)熱電冷卻紅...
InAs/InAsSb T2SL 光伏探測(cè)器 非制冷 參考價(jià)：面議
InAs/InAsSb T2SL 光伏探測(cè)器 非制冷 PVAS-5-0.1 0.1-TO39-NW-90是II型超晶格非冷卻紅外光電探測(cè)器，具有優(yōu)良的參數(shù)。該探...
砷化銦 InAs光伏探測(cè)器 3.35um 參考價(jià)：面議
砷化銦 InAs光伏探測(cè)器 3.35um產(chǎn)品應(yīng)用： 氣體分析 激光探測(cè)紅外分光光度測(cè)量輻射溫度計(jì)
高功率偏振依賴自由空間隔離器 461/689/813nm （旋轉(zhuǎn)器/旋光器） 參考價(jià)：面議
高功率偏振依賴自由空間隔離器 461/689/813nm （旋轉(zhuǎn)器/旋光器）筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司是一家被上海市評(píng)為高新技術(shù)企業(yè)的專業(yè)光學(xué)服務(wù)公司，業(yè)務(wù)涵...
145GHz光電探測(cè)器模塊(保偏光纖) 參考價(jià)：面議
145GHz光電探測(cè)器模塊(保偏光纖) 應(yīng)用?數(shù)據(jù)通信?電信?測(cè)試測(cè)量?微波光子學(xué)
硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 100MHz 參考價(jià)：面議
硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 100MHz 高速低噪聲光電平衡探測(cè)模塊集成了兩個(gè)匹配的超低噪 聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低...
145GHz光電探測(cè)器模塊(單模光纖) 參考價(jià)：面議
145GHz光電探測(cè)器模塊(單模光纖) 產(chǎn)品總覽該產(chǎn)品是為數(shù)據(jù)通信（ 1T/bs PAM），電信和微波光子應(yīng)用而研發(fā)的145GHz超快光電探測(cè)器模塊。
硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm 參考價(jià)：面議
硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nmAPD 是具有通過(guò)施加反向電壓產(chǎn)生的內(nèi)部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (S...
1064nm 四象限Si光電探測(cè)器(N型硅象限 光敏面直徑 10mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W) 參考價(jià)：面議
1064nm 四象限Si光電探測(cè)器(N型硅象限 光敏面直徑 10mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W)器件是N型硅象限探測(cè)器，當(dāng)光輻射到器件各個(gè)象限的輻射通量相等時(shí)，...
1064nm 四象限Si光電探測(cè)器( 光敏面直徑 16mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W) 參考價(jià)：面議
1064nm 四象限Si光電探測(cè)器( 光敏面直徑 16mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W)產(chǎn)品應(yīng)用● 激光瞄準(zhǔn)、制導(dǎo)跟蹤及探索裝置● 激光微定位、位移監(jiān)控等精密測(cè)量...
硅 Si 高性能雪崩光電二極管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18 參考價(jià)：面議
硅 Si 高性能雪崩光電二極管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18C30902EH高性能硅雪崩光電二極管(APD)的感光面直徑為0.5 mm...
905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm (光敏面直徑：0.23mm TO46) 參考價(jià)：面議
905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm (光敏面直徑：0.23mm TO46)硅雪崩光電二極管，光譜響應(yīng)范圍從可見(jiàn)光到近紅外，峰值響應(yīng)波長(zhǎng)905nm...
硅 Si 雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.5mm TO46) 參考價(jià)：面議
硅 Si 雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.5mm TO46)硅雪崩光電二極管，光譜響應(yīng)范圍從可見(jiàn)光到近紅外，峰值響應(yīng)波長(zhǎng)905...
硅Si雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.8mm TO46) 參考價(jià)：面議
硅Si雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.8mm TO46)硅雪崩光電二極管，光譜響應(yīng)范圍從可見(jiàn)光到近紅外，峰值響應(yīng)波長(zhǎng)905nm...
硅 Si 雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.23mm LCC3) 參考價(jià)：面議
硅 Si 雪崩光電二極管 905nm(400-1100nm 光敏面直徑0.23mm LCC3)硅雪崩光電二極管，光譜響應(yīng)范圍從可見(jiàn)光到近紅外，峰值響應(yīng)波長(zhǎng)905...
硅 Si 雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm光敏面直徑0.5mm LCC3) 參考價(jià)：面議
硅 Si 雪崩光電二極管 905nm(400-1100nm光敏面直徑0.5mm LCC3)硅雪崩光電二極管，光譜響應(yīng)范圍從可見(jiàn)光到近紅外，峰值響應(yīng)波長(zhǎng)905nm...
2mm SI光電探測(cè)器 （二極管） 參考價(jià)：面議
2mm SI光電探測(cè)器 （二極管）光纖通信、傳感、測(cè)距可見(jiàn)光至近紅外領(lǐng)域的光探測(cè)快速光脈沖檢測(cè)各種工業(yè)控制系統(tǒng)。
超快SI光電探測(cè)器,光敏面直徑0.2mm 參考價(jià)：面議
超快SI光電探測(cè)器,光敏面直徑0.2mm器件為硅PIN 光電二極管，在反向偏置條件下工作。峰值波長(zhǎng)在 940nm 左右,光譜探測(cè)范圍從 400nm~1100nm...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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