原位拉曼電化學(xué)反應(yīng)池 參考價(jià):面議
原位拉曼電化學(xué)反應(yīng)池主要用于觀察電極材料在電化學(xué)實(shí)驗(yàn)中的原位光譜變化,以此來探究電極材料在電化學(xué)反應(yīng)時(shí)化學(xué)結(jié)構(gòu)的變化。該裝置配有參比電極和對(duì)電極,可提供三電極體...原位拉曼電化學(xué)反應(yīng)池 參考價(jià):面議
原位拉曼電化學(xué)反應(yīng)池主要用于觀察電極材料在電化學(xué)實(shí)驗(yàn)中的原位光譜變化,以此來探究電極材料在電化學(xué)反應(yīng)時(shí)化學(xué)結(jié)構(gòu)的變化。該裝置配有參比電極和對(duì)電極,可提供三電極體...原位拉曼高溫反應(yīng)池 參考價(jià):面議
原位拉曼高溫反應(yīng)池主要用于觀察高溫條件下樣品的拉曼光譜變化,以此來探究高溫對(duì)樣品物相結(jié)構(gòu)的影響。該裝置主要包含有池體(高溫爐體)、加熱系統(tǒng)、水冷系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、...原位拉曼高溫反應(yīng)池 參考價(jià):面議
原位拉曼高溫反應(yīng)池主要用于觀察高溫條件下樣品的拉曼光譜變化,以此來探究高溫對(duì)樣品物相結(jié)構(gòu)的影響。該裝置主要包含有池體(高溫爐體)、加熱系統(tǒng)、水冷系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、...光電催化XRD反應(yīng)池 參考價(jià):面議
光電催化XRD反應(yīng)池應(yīng)用于光電催化反應(yīng)的原位XRD表征,池體頂部開有石英光窗,池體左右側(cè)開有聚酰亞胺窗口,配有參比電極、對(duì)電極及工作電極,可以在不同波長(zhǎng)光照,不...原位紅外漫反射附件 參考價(jià):面議
原位紅外漫反射附件:采用兩個(gè)6.3:1,90°鍍金離軸橢球面,能量反射率更高且鏡面更耐腐蝕;可減小鏡面反射的影響; 搭配帶有滑軌的底板可調(diào)節(jié)漫反射附件...高低溫漫反射池 參考價(jià):面議
高低溫漫反射池:設(shè)計(jì)溫度:-150℃~300℃;設(shè)計(jì)壓力:負(fù)壓(-150℃~RT),3MPa(RT~300℃);池體材質(zhì):池體池蓋 316L; 窗片材質(zhì):石英;...原位紅外透射系統(tǒng) 參考價(jià):面議
原位紅外透射系統(tǒng)主要用于研究樣品在不同溫度和氣體環(huán)境下的紅外光譜特征。產(chǎn)品主要由反應(yīng)池、混氣控制系統(tǒng)及溫度控制系統(tǒng)三部分構(gòu)成。其中反應(yīng)池主體采用316L不銹鋼材...放電等離子焦耳加熱裝置 參考價(jià):面議
放電等離子焦耳加熱裝置是一款先進(jìn)的快速燒結(jié)設(shè)備。采用雙層方形腔體,具有水冷功能;反應(yīng)腔內(nèi)部可提供真空,氣氛,等離子體燒結(jié)環(huán)境;具備快速,恒溫,熱沖擊等升溫模式;...外場(chǎng)輔助焦耳加熱/自蔓延材料制備裝置 參考價(jià):面議
外場(chǎng)輔助焦耳加熱/自蔓延材料制備裝置可為材料熱處理過程提供熱場(chǎng)、電場(chǎng)、磁場(chǎng)、淬火及氣氛輔助環(huán)境。通過控制外場(chǎng)強(qiáng)度可實(shí)現(xiàn)對(duì)合成材料的輔助控制;熱處理模式有焦耳加熱...熱壓焦耳儀 超快速高溫?zé)釅簾Y(jié)材料設(shè)備 參考價(jià):面議
超快速高溫?zé)釅簾Y(jié):通過結(jié)合快速升溫(≥2000℃/min)和高壓(≤10T)技術(shù),可以顯著縮短燒結(jié)時(shí)間,確保粉末顆粒之間更牢固地結(jié)合,從而制備具有高致密度的材...保溫款焦耳加熱裝置 快速升溫材料處理設(shè)備 參考價(jià):面議
保溫款焦耳加熱裝置是一款兼具快速升溫,節(jié)能環(huán)保的設(shè)備,具有保溫時(shí)間長(zhǎng),控溫精準(zhǔn),單次處理量大等優(yōu)點(diǎn)。該裝置有完整密閉的不銹鋼加熱腔體,腔體采用雙層一體化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)...焦耳加熱裝置 毫秒級(jí)升溫1000-3000℃ 參考價(jià):面議
焦耳加熱裝置是一種新型快速熱處理/合成的設(shè)備,該設(shè)備可使材料在(毫秒級(jí)/秒級(jí))時(shí)間內(nèi)達(dá)到溫度(1000~3000℃),升溫速率可達(dá)到10000k/s;通過對(duì)材料...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)