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FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積

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所  在  地北京市

更新時間:2024-10-10 09:22:32瀏覽次數(shù):171次

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價格區(qū)間 面議 應用領域 環(huán)保,生物產業(yè),石油,制藥,綜合
簡要描述:FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積:隨著LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加,其制造設備也變得更大,需要越來越大的設備投資。SYSKEY針對中小尺寸的需求開發(fā)串集的PECVD 設備,提供非晶矽(a-Si),氧化矽(SiOx),氮氧化矽(SiON),氮化矽(SiNx)和多層膜沉積。

FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積

FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積

隨著LCD面板和製造所需玻璃的尺寸的增加,其製造設備也變得更大,需要越來越大的設備投資。SYSKEY針對中小尺寸的需求開發(fā)串集的PECVD 設備,提供非晶矽(a-Si),氧化矽(SiOx),氮氧化矽(SiON),氮化矽(SiNx)和多層膜沉積。

FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積

FPD-PECVDField Plasma Discharge Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)是一種電漿輔助化學氣相沉積技術,它利用電場產生的等離子體來促進化學氣相沉積過程。該技術在薄膜材料的制備中具有重要作用,特別是在大面積平板顯示(Flat Panel DisplayFPD)制造領域。

FPD-PECVD技術通過在反應室內施加電場,激發(fā)氣體分子產生等離子體。等離子體中的高能粒子與化學前驅體分子發(fā)生反應,形成沉積在基板上的薄膜。與傳統(tǒng)的PECVD技術相比,FPD-PECVD能夠更有效地控制等離子體的分布和能量,從而提高薄膜的質量和均勻性。

該技術廣泛應用于液晶顯示器(LCD)和有機發(fā)光二極管(OLED)面板的生產中,用于沉積絕緣層、導電層、保護層等關鍵薄膜。FPD-PECVD技術的優(yōu)化和應用對于提升顯示面板的性能和生產效率具有重要意義。

應用領域
  • 非晶矽前驅物(a-Si)。

  • 氮化矽 (SiNx)。

  • 氧化矽,矽烷基(SiOx)。

  • 氧化矽,TEOS (SiOx)。


配置和優(yōu)點選件
  • 客製化基板尺寸為550 x 650 mm2(玻璃)。

  • 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3%。

  • 每個製程腔內最多可加裝7組氣體管線。

  • 遠程電漿進行腔體清潔。

  • 穩(wěn)定的溫度控制,可將基板加熱到380°C。

  • Cassette傳送站。

  • TEOS沉積製程。

  • OES、RGA或製程監(jiān)控的額外備用端口。




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