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如何利用人工智能（AI）和光學顯微鏡克服三維細胞培養(yǎng)和表型分析方面的挑戰(zhàn)-免費點播網(wǎng)絡研討會三維細胞培養(yǎng)物如器官體和細胞球，在藥理學研究中越來越受到重視，它們構成了傳統(tǒng)二維細胞培養(yǎng)與動物模型之間的橋梁
使用DMi8倒置顯微鏡可簡化復雜的顯微成像工作流程。我們可根據(jù)您的研究需求和預算提供量身定制的平臺解決方案，助您生成高質量的數(shù)據(jù)。先進的成像技術流程顯著簡化你的好處：1使用先進的自動化功能高效執(zhí)行負責
2024年10月11日，徠卡顯微系統(tǒng)共聚焦及gao端寬場活細胞成像客戶培訓班在上?？蛻趔w驗中心圓滿結束。徠卡顯微系統(tǒng)生命科學應用工程師石磊分享活細胞成像需求解析和徠卡顯微鏡活細胞成像硬件配置此次培訓班
超多標記成像技術在生物醫(yī)學研究中具有廣泛的應用，包括揭示組織結構、細胞相互作用和分子動力學等。通過這一技術，研究人員能夠以qiansuo未有的精度深入探討細胞異質性和疾病機制，為癌癥研究、免疫學、神經(jīng)
近年來，類器官作為細胞生物學界和臨床醫(yī)學zui熱門的前沿技術之一，為疾病建模和藥物篩選提供了強大的平臺，備受生物醫(yī)藥領域的關注。截至目前，類器官技術在疾病研究、腫瘤藥敏、臨床免疫、藥物毒理、再生醫(yī)學等
王勵娟徠卡顯微系統(tǒng)（上海）貿易有限公司電鏡制樣應用專家研究背景NEWYEAR隨著可再生能源的快速發(fā)展，對高效、安全且可持續(xù)儲能系統(tǒng)的需求日益迫切。水性電池以其高安全性、高離子電導率和低成本等特點，是當
在一個最簡化的情況，光學顯微鏡由一個靠近標本的透鏡（物鏡）和一個靠近眼睛的透鏡（目鏡）組成。顯微鏡放大率是兩個顯微鏡透鏡系數(shù)的乘積。比如，40倍物鏡和10倍目鏡可以得到400倍放大率。1通過光波確定限
探索關于術中OCT輔助下小兒板層黃斑裂孔修復的病例研究黃斑裂孔是一種罕見的眼疾，會導致中心視力模糊，影響日?；顒印｜S斑裂孔通常是由黃斑被牽拉或拉伸而引起的開口，最常見的原因通常是年齡相關的眼部變化。然
劉皎（北京大學醫(yī)藥衛(wèi)生分析中心）超高分辨顯微鏡（Super-ResolutionMicroscopy）作為強大的成像工具，可以突破傳統(tǒng)光學顯微鏡的分辨極限，實現(xiàn)對微小結構的高分辨率成像，已經(jīng)在生物醫(yī)學
探索CellDIVE循環(huán)染色成像解決方案和Aivia人工智能圖像分析的強大功能，揭示腦組織中的神經(jīng)免疫相互作用阿爾茨海默?。ˋD）是一種復雜的神經(jīng)退行性疾病，以神經(jīng)纖維纏結、β-淀粉樣蛋白斑塊和神經(jīng)炎
01講課內容時間：12月17日14:30熒光壽命顯微鏡FLIM廣泛用于細胞內微環(huán)境變化、分子互作、生物大分子結構、動力學信息等高分辨率高精度測量，以及細胞器功能、神經(jīng)科學、癌癥早期診斷和疾病實時監(jiān)控與
本文概述了影響汽車和電子制造業(yè)的高效清潔度分析過程的關鍵因素。在汽車和電子行業(yè)，零部件上細小的污染顆粒物也可能影響產(chǎn)品的性能，導致產(chǎn)品出現(xiàn)故障，或使用壽命縮短。對于汽車來說，過濾系統(tǒng)很容易受到影響。對
使用寬離子束研磨技術為電子背散射衍射（EBSD）分析制備微電子和復合材料的高質量樣品本文介紹了一種使用寬離子束研磨技術為“混合”晶體材料制備可靠且有效的EBSD（電子背散射衍射）樣品的方法。該方法產(chǎn)生
新一代大動力。使用新一代STELLARIS能夠將實時、多通道、溫和的成像推向更高度水平，為您的研究提供強STELLARIS，您能夠比以往任何時候看到更多細節(jié)，發(fā)現(xiàn)更多奧秘，完成更多任務。
結合相關情境來分析您的數(shù)據(jù)，了解完整情況使用DMi8的智能自動化功能高效設置實驗，從而更多地專注于您的研究問題。利用以下功能獲得有價值的相關信息：集成的SampleFinder-將您的數(shù)據(jù)置于相關情境中，快速全面了解樣本。集成的Navigator體驗-輕松完成實驗。自適應加水浸潤...
以亞細胞精度收集單一的樣品許多腦部疾病都是由蛋白質功能障礙、錯誤折疊和凝集引起的，因此蛋白質表達分析是了解許多腦部缺陷的原因和發(fā)現(xiàn)治療方法的關鍵。徠卡激光顯微切割(LMD)系統(tǒng)有助于獲得足夠數(shù)量的大腦標本。只需確定感興趣的區(qū)域，并直接用激光束切割區(qū)域進行下游分析。區(qū)域可以是不同的...
對更強大、更快速的電子設備（智能手機、計算機、平板電腦、顯示器等）的需求不斷增長，這推動了集成電路（IC）芯片和半導體組件的圖案尺寸縮小到10納米以下[1-3]。為了實現(xiàn)更小的納米級尺寸，紫外光刻圖案化步驟的數(shù)量已經(jīng)增加，隨之而來的是刻蝕過程中的缺陷和有機污染的可能性增加[2]。...
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