Purity:>99.995%
純進(jìn)口HQ graphene二硒化鎢晶體
參考價(jià) | ¥ 10300 |
訂貨量 | ≥1件 |
- 公司名稱 上?;偕锟萍加邢薰?/a>
- 品牌 先豐納米
- 型號
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2025/5/16 15:04:15
- 訪問次數(shù) 13
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供貨周期 | 一個月 | 規(guī)格 | 一盒 |
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貨號 | 101261 |
產(chǎn)品名稱
中文名稱: 純進(jìn)口HQ graphene二硒化鎢晶體
英文名稱:HQ graphene WSe2
產(chǎn)品概述
WSe2是一種間接帶隙為~1.3 eV的半導(dǎo)體,單層WSe2具有直接帶隙。這些層通過范德華相互作用堆疊在一起,可以剝離成薄的二維層。二硒化鎢屬于第六族過渡金屬二硫族化合物(TMDC)。在HQ石墨烯中制備的WSe2晶體具有典型的橫向尺寸為~0.8-1 cm,六角形和金屬外觀。我們制備了n型和p型WSe2,在室溫下典型載流子密度為~1015cm-3。
WSe2 is a semiconductor with an indirect band gap of ~1.3 eV, monolayer WSe2 has a direct band gap. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. Tungsten Diselenide belongs to the group-VI transition metal dichalcogenides (TMDC).
The WSe2 crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.8-1 cm, are hexagonal shaped and have a metallic appearance. We produce both n-type and p-type WSe2, having typical charge carrier densities of ~1015cm-3 at room temperature.
技術(shù)參數(shù)
純度: 99.995%
尺寸:~6-8 mm
顏色: 銀灰色
產(chǎn)品特點(diǎn)
Electrical properties:Semiconductor,p-type
Crystal structure:Hexagonal
Unit cell parameters:a = b = 0.328 nm, c = 1.298 nm, α = β = 90°, γ = 120°
應(yīng)用領(lǐng)域
在電子學(xué)領(lǐng)域:
場效應(yīng)晶體管(FET):由于其出色的電學(xué)性能,可用于制造高性能、低功耗的場效應(yīng)晶體管。例如,在下一代納米電子器件中,能夠?qū)崿F(xiàn)更小的尺寸和更優(yōu)的性能。
集成電路:有望成為未來集成電路中的關(guān)鍵組件,提高芯片的集成度和運(yùn)算速度。
在能源領(lǐng)域:
太陽能電池:可用作太陽能電池的吸收層材料,提高光電轉(zhuǎn)換效率。比如在新型薄膜太陽能電池中,有助于增強(qiáng)對太陽光的吸收和電荷傳輸。
鋰離子電池:作為鋰離子電池的電極材料,表現(xiàn)出良好的電化學(xué)性能和循環(huán)穩(wěn)定性。
在催化領(lǐng)域:
析氫反應(yīng)(HER)催化:在電解水制氫中,是一種有潛力的析氫反應(yīng)催化劑,能夠降低反應(yīng)所需的能量,提高產(chǎn)氫效率。