Purity:>99.995%
純進(jìn)口HQ graphene 硫化鉿晶體
參考價(jià) | ¥ 9950 |
訂貨量 | ≥1件 |
- 公司名稱 上?;偕锟萍加邢薰?/a>
- 品牌 先豐納米
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2025/5/16 16:20:43
- 訪問(wèn)次數(shù) 20
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供貨周期 | 一個(gè)月 | 規(guī)格 | 一盒 |
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貨號(hào) | 101270 |
產(chǎn)品名稱
中文名稱: 純進(jìn)口HQ graphene 硫化鉿晶體
英文名稱:HQ graphene HfS2 (Hafnium Disulfide) Crystal
產(chǎn)品概述
HfS2是一種間接帶隙為~ 2ev的半導(dǎo)體。預(yù)測(cè)單層二硫化鉿的直接帶隙為~1.2 eV。這些層通過(guò)范德華相互作用堆疊在一起,可以剝離成薄的二維層。HfS2屬于iv族過(guò)渡金屬二硫族化合物(TMDC)。在HQ石墨烯中制備的二硫化鉿晶體橫向尺寸為~0.6-0.8 cm,呈六角形,外觀呈紅色透明。
HfS2 is a semiconductor with an indirect band gap of ~2 eV. Single layer Hafnium Disulfide is predicted to have a direct band gap of ~1.2 eV. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. HfS2 belongs to the group-IV transition metal dichalcogenides (TMDC).
The Hafnium Disulfide crystals produced at HQ Graphene have a lateral size of ~0.6-0.8 cm, are hexagonal shaped and have a red transparent appearance.
技術(shù)參數(shù)
純度: 99.995%
尺寸:6-8mm
產(chǎn)品特點(diǎn)
Electrical properties:Semiconductor
Crystal structure:Hexagonal
Unit cell parameters:a = b = 0.363 nm, c = 0.586 nm, α = β = 90°, γ = 120°
Type:Synthetic
應(yīng)用領(lǐng)域
硫化鉿晶體因其特殊的結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能,成為傳感器領(lǐng)域的有力候選材料。它可以用于制造氣體傳感器、壓力傳感器和濕度傳感器等。這些傳感器利用了二硫化鉿晶體的高靈敏度和快速響應(yīng)特性,在環(huán)境監(jiān)測(cè)和工業(yè)自動(dòng)化中有著重要應(yīng)用。
在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域,二硫化鉿納米片被探索用于治療炎癥性腸病。例如,單寧酸封端的二硫化鉿納米片(HfS2@TA)通過(guò)液相剝離法制備,顯示出清除活性氧(ROS)和靶向結(jié)腸的能力,這為腫瘤和其他疾病的治療提供了新的思路。
硫化鉿單層是未來(lái)納米電子器件中最有前途的二維材料之一。研究人員正在開(kāi)發(fā)基于HfS2的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),這種設(shè)備具有超低功耗的特點(diǎn),并且可以實(shí)現(xiàn)多通道架構(gòu)。這些特性使得HfS2在高性能計(jì)算和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方面具有潛在的應(yīng)用前景。
由于其直接帶隙半導(dǎo)體性質(zhì),單層二硫化鉿晶體在光電和光電子學(xué)中也有廣泛應(yīng)用。例如,它可以用作激光器和光電探測(cè)器的核心材料,因其優(yōu)異的光學(xué)特性和儲(chǔ)能性能而受到重視。
硫化鉿晶體還可以作為催化劑使用,特別是在高溫條件下。此外,它在能源存儲(chǔ)和轉(zhuǎn)換設(shè)備中的應(yīng)用也正在研究之中,如超級(jí)電容器和鋰離子電池等。