TS1500V的整體結構以“穩(wěn)定控溫+高真空密封"為核心。其主體采用不銹鋼材質加工的真空腔體,內(nèi)壁經(jīng)拋光處理以減少氣體吸附,配合O型硅橡膠密封圈與法蘭連接,確保真空環(huán)境的持久性。樣品臺部分選用氧化鋁陶瓷基底,表面經(jīng)平面研磨,可承載直徑25mm、厚度10mm以內(nèi)的樣品,兼顧導熱性與抗腐蝕能力。加熱元件為多匝鉬合金絲,纏繞于陶瓷絕緣支架上,避免金屬污染,同時提升高溫下的熱輻射效率。

關鍵性能參數(shù)
根據(jù)技術文檔,TS1500V的標準溫度范圍為室溫至1500℃,升溫速率可在1-20℃/min間調節(jié),降溫時通過自然冷卻或輔助風冷實現(xiàn)。真空系統(tǒng)配備雙級機械泵與分子泵組合,極限真空度可達1×10?3 Pa(需配合用戶端額外泵組升級),工作真空度通常維持在1×10?2 Pa至1 Pa范圍內(nèi)。設備標配RS232通訊接口,支持通過上位機軟件設置溫度曲線與實時監(jiān)控。
基礎用途與使用場景
該熱臺主要用于高溫真空條件下的材料行為觀測。例如,在金屬材料研究中,可模擬退火、固溶處理過程,觀察晶粒生長或析出相演變;在地質領域,用于模擬地幔礦物在高溫高壓(需搭配外部加壓裝置)下的相變;半導體行業(yè)中,則可進行薄膜材料的真空退火,研究界面缺陷修復機制。使用時需注意:樣品需預處理去除表面油污,避免污染真空腔;使用前建議空載運行2小時,確認溫控與真空系統(tǒng)穩(wěn)定性。