澤攸ZEM20掃描顯微鏡的成像性能實(shí)測(cè)

澤攸ZEM20掃描顯微鏡的成像性能實(shí)測(cè)

在 30?kV、束流 1?nA 條件下，對(duì) 30?kV 金標(biāo)樣的線寬測(cè)得 8?nm（SE），信噪比 34?dB。降低至 10?kV 時(shí)分辨率 ≤?10?nm，仍保持對(duì)比度 >?0.45，適合低壓非導(dǎo)電樣品的觀。

設(shè)備頂部預(yù)留 30 mm2 EDS 接口，支持無窗硅漂移探測(cè)器。對(duì) Mn Kα 峰，能量分辨率 129 eV，輸入計(jì)數(shù)率 30 kcps。以 Cu-Zn 合金為例，面掃描時(shí)間 120 s，像素 400 × 300，生成 Cu、Zn、O 三通道圖。EDS 軟件與SEM主控共享坐標(biāo)文件，可在圖像上疊加元素分布，實(shí)現(xiàn)形貌與成分同步觀察。對(duì)輕元素 C、N，建議采用 7 kV 低電壓，減少束流擴(kuò)散，提高空間一致性。

• 金顆粒實(shí)驗(yàn)：5?% 金膠稀釋后滴加硅片，使用 15?kV、50?pA，二次電子計(jì)數(shù) 1.2?Mcps，雙顆粒間距 10?nm 可清晰分辨，圖像漂移 <?0.3?pixel（30?s 連拍 30 張）。

• 碳納米管：3?kV、20?pA，背散射模式下管壁厚度 6?nm 可測(cè)，低電壓有效抑制充電。

• 景深：5?kV、20?pA 條件下，對(duì) 40?µm 多孔硅進(jìn)行傾斜掃描，景深 35?µm，優(yōu)于同檔傳統(tǒng)鎢燈絲系統(tǒng)約 22?µm。

典型模式性能表