探秘澤攸ZEM20掃描顯微鏡能參數(shù)全解析

探秘澤攸ZEM20掃描顯微鏡能參數(shù)全解析

ZEM20的性能參數(shù)體現(xiàn)了其在臺(tái)式電鏡中的技術(shù)定位。成像分辨率方面，在20kV加速電壓下，二次電子像分辨率優(yōu)于4.0nm，背散射電子像分辨率可達(dá)5.0nm。放大倍數(shù)范圍從20倍到36萬倍連續(xù)可調(diào)，涵蓋了從宏觀觀察到微觀細(xì)節(jié)的廣泛需求。

電子光學(xué)系統(tǒng)參數(shù)顯示，加速電壓范圍1-20kV，步進(jìn)0.1kV可調(diào)；電子槍采用預(yù)對(duì)中鎢燈絲，典型壽命超過100小時(shí)。樣品室真空度優(yōu)于5×10?3Pa，確保電子束傳播過程中不受殘余氣體分子過多干擾。樣品臺(tái)移動(dòng)范圍達(dá)到X/Y軸±25mm，Z軸5-40mm連續(xù)可調(diào)，傾斜角度-10°至+90°，旋轉(zhuǎn)角度360°連續(xù)可調(diào)。

在探測(cè)系統(tǒng)方面，標(biāo)配的二次電子探測(cè)器采用閃爍體-光導(dǎo)管-光電倍增管組合，具有較高信噪比。背散射電子探測(cè)器為四象限半導(dǎo)體探測(cè)器，支持成分分析和形貌分析兩種工作模式。設(shè)備還預(yù)留了能譜儀接口，可擴(kuò)展安裝EDS探測(cè)器進(jìn)行元素分析。

ZEM20的性能參數(shù)包括成像、真空與操作等方面。在成像性能上，其二次電子與背散射電子圖像分辨率均達(dá)到4nm，放大倍數(shù)范圍為數(shù)十倍至36萬倍。加速電壓最大支持20kV，并可選擇高真空或低真空模式（低真空為選配）。電子槍類型為預(yù)對(duì)中鎢燈絲，壽命較長(zhǎng)。樣品臺(tái)標(biāo)準(zhǔn)配置為三軸，可選五軸，移動(dòng)范圍靈活。真空系統(tǒng)采用獨(dú)特分隔設(shè)計(jì)，抽真空時(shí)間短，換樣后準(zhǔn)備迅速。探測(cè)器類型涵蓋SE（二次電子）與BSE（背散射電子）。設(shè)備還支持圖像多格式保存（如TIFF、JPEG），分辨率最高可達(dá)7680×4800像素。這些參數(shù)保證了ZEM20在微觀形貌觀察中的表現(xiàn)。探秘澤攸ZEM20掃描顯微鏡能參數(shù)全解析