1.產(chǎn)品概述：

eLINE Plus -專為多種原位納米加工技術的最寬帶寬應用而設計，超越了經(jīng)典的電子束光刻(EBL)。

2.產(chǎn)品優(yōu)勢：

世界上專業(yè)EBL系統(tǒng)中最小的波束尺寸（< 1.6 nm）

EBL抗蝕劑的線寬小于5nm

使用電子束誘導沉積（EBID）技術演示了亞7納米線

新的eLINE Plus被設計的多重技術納米光刻系統(tǒng)，用于所有科學學科的廣泛應用

ELINEPlus公司的先進光刻基礎設施使超高分辨率和大面積納米制造成為可能，并統(tǒng)一了電子束光刻、納米工程和超高分辨率成像的世界。

專業(yè)和無損的EBL：保證系統(tǒng)規(guī)格和小的光束尺寸與全球應用支持基礎設施相結合，使eLINE Plus成為努力有效地建立納米制造新前沿的學術機構的理想解決方案。

3. 產(chǎn)品參數(shù)：

最小線寬≤8nm    光柵周期≤40nm

50KV加速電壓下，寫場可在0.5μm~500μm的范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)

肖特基熱場發(fā)射電子束源，最高加速電壓≥50kv，束電流范圍至少為50pA~40nA，最大束電流≥40nA

圖像發(fā)生器掃描頻率≥50MHz，20bit分辨率，最小步距為0.5nm

通用樣品架可承載散片，4inch以下的襯底，4inch專用晶圓專用樣品架，6inch專用晶圓專用樣品架，多樣品專用樣品架

拼接精度：

100μm寫場下，拼接精度≤20nm【mean】+3sigma

500μm寫場下，拼接精度≤30nm【mean】+3sigma

套刻精度：

100μm寫場下，拼接精度≤20nm【mean】+3sigma

500μm寫場下，拼接精度≤25nm【mean】+3sigma

束電流穩(wěn)定性＜0.2%/h   束位置穩(wěn)定性＜120nm/8h