在半導體制造領域，鍵合晶圓技術廣泛應用于三維集成、傳感器制造等領域。然而，鍵合過程中諸多因素會導致晶圓總厚度偏差（TTV）增大，影響器件性能與良品率。因此，探索...

高精度少子壽命測試是評估半導體材料（如硅、鍺）中少數(shù)載流子復合速率的關鍵技術，廣泛應用于太陽能電池、半導體制造等領域。少子壽命：去除雜質缺陷可延長壽命，摻入金、...

紅外激光少子壽命 指半導體中非平衡少數(shù)載流子在紅外激光激發(fā)下從產生到復合的平均存活時間。 ?測試方法紅外脈沖激光 激發(fā)半導體材料，通過 微波光電導衰減法 （ μ...

導電膜，即具有導電性能的薄膜材料，是一種重要的功能性材料，廣泛應用于觸摸屏、太陽能電池、柔性電路等領域。方阻和電阻率，是衡量導電膜導電性能的重要指標。方阻，全稱...

金屬膜電阻器是膜式電阻器(Film Resistors)中的一種。它是采用高溫真空鍍膜技術將鎳鉻或類似的合金緊密附在瓷棒表面形成皮膜，經(jīng)過切割調試阻值，以達到最...

半導體材料根據(jù)時間先后可以分為三代。第一代為鍺、硅等普通單質材料，其特點為開關便捷，一般多用于集成電路。第二代為砷化鎵、磷化銦等化合物半導體，主要用于發(fā)光及通訊...

碳化硅的厚度范圍?可以從幾微米到幾毫米不等，具體取決于其應用場景和制造工藝。例如，碳化硅晶圓片的厚度可以達到130微米（um），而碳化硅顆粒的尺寸則有1-3mm...

非接觸式無損測厚儀采用的工作原理是光熱紅外法。利用光源照射物體表面,通過對激勵光源進行強度調制，在材料中產生熱波，光源激發(fā)的熱量通過熱波在涂層中向深處傳播，這一...

非接觸式無損測厚儀采用的工作原理是光熱紅外法。利用光源照射物體表面,通過對激勵光源進行強度調制，在材料中產生熱波，光源激發(fā)的熱量通過熱波在涂層中向深處傳播，這一...

非接觸式無損測厚儀采用的工作原理是光熱紅外法。利用光源照射物體表面,通過對激勵光源進行強度調制，在材料中產生熱波，光源激發(fā)的熱量通過熱波在涂層中向深處傳播，這一...

在半導體制造領域，晶圓的厚度測量是至關重要的一環(huán)，它直接關系到產品的質量和性能。為了滿足高精度測量的需求，我們研發(fā)了一款對射非接觸式光譜共焦位移傳感器厚度測量設...

金剛石膜檢測與測試報告 檢測項目 金剛石膜的檢測項目主要包括以下幾個方面：膜厚度、晶體結構、表面粗糙度、附著力、熱穩(wěn)定性及耐磨性等。

硅片厚度測試的方法主要包括非接觸式光學測量技術，如反射率法、干涉法和激光掃描共聚焦顯微鏡等??1。其中，反射率法是通過測量不同角度下光線的反射率變化來計算硅片厚...

非接觸式半絕緣方阻測量技術可以廣泛應用于各種領域,比如材料表面導電性測試、薄膜導電性測量、電路板測試等。它具有測量快速、精度高、不損傷被測物體等優(yōu)點。

半絕緣電阻率通常介于1-1000歐姆·厘米之間，是描述半絕緣材料導電性能的關鍵參數(shù)。這種材料在電子工業(yè)中應用廣泛，特別是在制造半導體器件、絕緣層和光電...

玻璃領域 半導體玻璃的電阻率及某些物理化學性質在光、電、熱等作用下可發(fā)生顯著改變，從而賦予其的性能。半導體玻璃已廣泛應用于光電倍增器、存儲器件、電子開關等領域。

晶錠與晶片在半導體行業(yè)中扮演著不同的角色，它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在形態(tài)、制備方式及應用領域上。首先，晶錠，或稱為單晶硅棒，是一種長條狀的半導體材料，通常采用特定...

隨著光伏產業(yè)的迅猛發(fā)展，生產效率和產品質量的提升已成為行業(yè)關注的焦點。在光伏電池片的生產中，方阻檢測是確保電池片質量和性能的關鍵環(huán)節(jié)之一。傳統(tǒng)的方阻檢測方法大多...

主要利用結光電壓技術非接觸測試具有P/N或N/P結構的樣品的方阻(發(fā)射極薄層方阻），本儀器為非接觸，非損傷測試，具有測試速度快，重復性佳，測試敏感性高，可以直接...

在霍爾效應傳感器中，自由電子的移動能力通過遷移率來量化，這是衡量電子在材料中移動難易程度的關鍵指標。遷移率典型范圍一般在5至50平方厘米/伏秒之間詳情介紹?我公...