晶錠渦流法電阻率測(cè)試儀 返回列表頁(yè)

晶錠渦流法電阻率測(cè)試儀可以通過(guò)渦流測(cè)量高精度和分辨率為1毫米的方式來(lái)測(cè)量晶圓片或晶塊的電阻率。由于距離相關(guān)的內(nèi)部布局矩陣，渦流傳感器有一個(gè)非常好的長(zhǎng)期穩(wěn)定性因此，每個(gè)電阻率圖都是測(cè)量表面接地度的幾何圖。電阻率可與少數(shù)負(fù)載流子消耗和光電導(dǎo)率圖同時(shí)測(cè)量。在進(jìn)行電阻測(cè)量時(shí)，需要用戶提供樣品的厚度。

晶錠渦流法電阻率測(cè)試儀技術(shù)參數(shù)：

步徑≥1mm

邊緣：12mm

電阻率片厚：150-250μm

電阻率范圍

默認(rèn)設(shè)置：0.5-5 Ohm cm

準(zhǔn)確度：<3%

重復(fù)性：<1%(范圍從0.5-3 Ohm cm)

為了研究發(fā)射極擴(kuò)散的均勻性，有可能出現(xiàn)較弱的發(fā)射極的方阻。基礎(chǔ)的電阻率由用戶給出。

方阻測(cè)量范圍為0.1-200 Ohm/sq。

以標(biāo)準(zhǔn)樣品量下的準(zhǔn)確度，

0.1-10 Ohm/sq：<3%精度

10-100 Ohm/sq：<3%精度

100-200 Ohm/sq：<3%精度